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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 960 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5" SFF
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Interface | | SAS 12Gb/s
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Caractéristiques | | ECC (Error Correction Code, code de correction d'erreur), protection des données de bout en bout T10, gestion avancée des pertes de données et de l'alimentation, Online Transaction Processing (OLTP), Exclusive-OR (XOR), effacement sécurisé instantané (ISE), T10 Data Integrity Field (DIF), Enterprise, disponibilité 24/7
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Largeur | | 70.1 mm
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Profondeur | | 100.6 mm
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Hauteur | | 15 mm
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Poids | | 140 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 1.75 PB
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Débit de transfert du lecteur | | 1.2 Go/s (externe)
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Débit de transfert interne | | 2100 Mo/s (lecture) / 1250 Mo/s (écriture)
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 85000 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 400000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,500,000 heures
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Opération 24 h/24, 7 j/7 | | Oui
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x SAS 12 Gb/s
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Baie compatible | | 2.5" SFF
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 3.7 Watt (max. veille)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 60 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 80 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 500 g @ onde semi-sinusoïdale 2 ms
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1000 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 2.16 g @ 5-700 Hz
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