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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 800 Go
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Interface | | U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Effacement sécurisé instantané (ISE), 64-layer 3D BiCS FLASH, NVM Express (NVMe) 1.3
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Largeur | | 69.85 mm
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Profondeur | | 100.45 mm
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Hauteur | | 7 mm
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Poids | | 95 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 2
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Débit de transfert interne | | 2690 Mo/s (lecture) / 960 Mo/s (écriture)
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 86740 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 281790 IOPS
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Temps de latence moyen | | 179 µs
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 10.75 Watt (moyenne)
5.8 Watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 78 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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