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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 512 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.1 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | InnoGrit IG5216, NVM Express (NVMe) 1.4, prise en charge TRIM, Wear Leveling Support, Ultra-efficient Block Management, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 80 mm
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Hauteur | | 2.25 mm
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Poids | | 10 g
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Performances | |
Endurance SSD | | 128 TB
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Débit de transfert interne | | 3450 Mo/s (lecture) / 2400 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 188000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 156000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 2822 mW (lecture)
1056 mW (inactif)
2970 mW (écriture)
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Divers | |
Normes de conformité | | FCC, RoHS, UKCA
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Dimensions et poids (emballé) | |
Poids emballé | | 58 g
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 3 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95 % (sans condensation)
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 g @ 10-2000 Hz
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