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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 512 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2230
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Interface | | PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, commande de désinfection
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Caractéristiques | | NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, Host Memory Buffer (HMB), commande de désinfection
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 30 mm
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Hauteur | | 2.23 mm
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Poids | | 2.9 g
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 3500 Mo/s (lecture) / 2700 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 400000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 430000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - clé M.2 M
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Baie compatible | | M.2 2230
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 4.1 Watt (actif)
3 mW (mode L1.2)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 3 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 85 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 0 - 90% RH
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g @ 0,5 ms
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 20 g @ 20-2000 Hz
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 g @ 20-2000 Hz
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