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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 3840 Go
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Cryptage matériel | | Oui
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Interface | | SAS 24Gb/s
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Caractéristiques | | Dual Port, protection des données de bout en bout, T10 Data Integrity Field (DIF), Protection de perte de puissance (PLP), 112-layer 3D BiCS FLASH
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Caractéristiques | | Dual Port, Protection de perte de puissance (PLP), protection des données de bout en bout, T10 Data Integrity Field (DIF), 112-layer 3D BiCS FLASH
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Largeur | | 69.85 mm
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Profondeur | | 100.45 mm
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Hauteur | | 15 mm
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Poids | | 130 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Classe d'entraînement | | Enterprise, Read Intensive
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Débit de transfert du lecteur | | 2.25 Go/s (externe)
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Débit de transfert interne | | 4200 Mo/s (lecture) / 3650 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 720000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 155000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x SAS 24Gb/s
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Baie compatible | | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 5 Watt (prêt)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 80 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95% RH
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1000 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 2.17 gRMS @ 5-800 Hz
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