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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 480 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, CMOS sous réseau (CuA), Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Environnement d'exécution sécurisé, Protection de perte de puissance (PLP), Data Path Protection, non-SED, Support des clés de délégation RSA
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 80 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 800 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise, Read Intensive
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Débit de transfert interne | | 5000 Mo/s (lecture) / 700 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 280000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 40000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 8 Watt (lecture séquentielle)
7.9 Watt (écriture séquentielle)
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Divers | |
Compatibilité TTA | | Oui
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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