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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 1920 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 22110
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Interface | | PCIe 4.0 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Digitally Signed Firmware, Protection de perte de puissance (PLP), technologie NAND 176 couches, Environnement d'exécution sécurisé, Démarrage sécurisé, CMOS sous réseau (CuA), effacement de bloc NAND
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Caractéristiques | | Technologie NAND 176 couches, Environnement d'exécution sécurisé, CMOS sous réseau (CuA), effacement de bloc NAND, Digitally Signed Firmware, Protection de perte de puissance (PLP), Démarrage sécurisé
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 110 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 3650 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise
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Débit de transfert interne | | 5000 Mo/s (lecture) / 2400 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 735000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 120000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 4.0 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 22110
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 8 Watt (lecture séquentielle)
7.9 Watt (écriture séquentielle)
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Divers | |
Compatibilité TTA | | Oui
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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