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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 7.68 To
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Cryptage matériel | | Oui
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | E1.S 5.9mm
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Interface | | PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, Environnement d'exécution sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, technologie 3D NAND à 176 couches, CMOS sous réseau (CuA)
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Caractéristiques | | Technologie 3D NAND à 176 couches, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, Data Path Protection, Environnement d'exécution sécurisé, CMOS sous réseau (CuA), Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, Démarrage sécurisé, Fonction Roots of Trust asymétrique, Support des clés asymétriques fortes, Support des clés de délégation RSA
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Hauteur | | 5.9 mm
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
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Endurance SSD | | 14000 TB
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Classe d'entraînement | | Enterprise, Read Intensive
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Débit de transfert interne | | 6800 Mo/s (lecture) / 5600 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 1000000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 215000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | E1.S 5.9mm
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 12 Watt (lecture séquentielle) 14 Watt (écriture séquentielle)
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Divers | |
Compatibilité TTA | | Oui
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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