| ↓ Rechercher un autre produit par critères |
Général |
| |
Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
|
Capacité | | 960 Go
|
Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
|
Format | | 2.5"
|
Interface | | U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
|
Octets par secteur | | 512
|
Caractéristiques | | Data Path Protection, Protection de perte de puissance (PLP), NVM Express (NVMe) 1.4, technologie NAND 176 couches, Environnement d'exécution sécurisé, Démarrage sécurisé, Mise à jour du micrologiciel par clé, Accès privilégié basé sur des clés, CMOS sous réseau (CuA)
|
Hauteur | | 7 mm
|
| |
Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1
|
Endurance SSD | | 1700 TB
|
Classe d'entraînement | | Enterprise, Read Intensive
|
Débit de transfert interne | | 6800 Mo/s (lecture) / 1400 Mo/s (écriture)
|
Lecture aléatoire 4 Ko | | 530000 IOPS
|
Écriture aléatoire 4 Ko | | 85000 IOPS
|
| |
Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
|
Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
|
| |
Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x U.3 PCIe 4.0 x4 (NVMe)
|
Baie compatible | | 2.5"
|
| |
Alimentation | |
Consommation électrique | | 12.1 Watt (lecture séquentielle) 16.6 Watt (écriture séquentielle)
|
| |
Divers | |
Compatibilité TTA | | Oui
|
| |
Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
|
| |
Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
|
Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
|