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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 1 To
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | Cellule multiniveaux (MLC)
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Dissipateur thermique intégré | | Oui
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, mode veille, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
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Largeur | | 24.3 mm
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Profondeur | | 80 mm
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Hauteur | | 8.2 mm
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Poids | | 28 g
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)
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Écriture aléatoire 4 Ko maximum | | 1550000 IOPS
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Lecture aléatoire maximale 4 ko | | 1200000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,500,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 5.4 Watt (lecture)
5 Watt (écriture)
50 mW (inactif)
5 mW (mode L1.2)
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Logiciels & Configuration requise | |
Logiciel(s) inclus | | Samsung Magician Software
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Divers | |
Normes de conformité | | IEEE 1667
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Détails du paquet | | Boîte
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans/600 TBW
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95 % (sans condensation)
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 g @ 20-2000 Hz
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