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Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW

SSD - chiffré - 4 To - interne : M.2 2280, PCIe 4.0 x4 (NVMe), AES 256 bits, TCG Opal Encryption 2.0, dissipateur de chaleur intégré

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Référence Samsung : MZ-V9P4T0GW
Référence PC21 : SNG116634

-29%	299,23 €	HT	(423,63)
	359,07 €	TTC	(508,35)
Taxes incluses (Eco-Part, RPCP, Copy) : 0,08 € HT

EN STOCK 83 pièces EXPEDIE EN 24/48 H
	Poids brut : 0.07 Kg (avec emballage)	Mise à jour le 31/03/2025 à 21:17

PC21 Services propose des services d’installation, d’assistance, de dépannage et de maintenance informatique aux entreprises et aux particuliers.
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FICHE TECHNIQUE SAMSUNG 990 PRO MZ-V9P4T0GW

Le disque dur Samsung 990 PRO combine une grande capacité de stockage, des vitesses rapides et des mesures de sécurité avancées pour répondre aux besoins des environnements de données exigeants. Avec une capacité de 4 To et un cache DDR4 SDRAM basse consommation de 4 Go, il offre un espace important et un accès rapide à vos données. L'interface PCI Express 4.0 x4 (NVMe) du disque garantit des taux de transfert de données rapides, ce qui le rend idéal pour les applications intensives et le multitâche.Conçu pour durer, le Samsung 990 PRO est doté d'un dissipateur thermique intégré pour maintenir des températures optimales et prend en charge les technologies S.M.A.R.T., TRIM et Device Sleep pour une efficacité et une longévité accrues. Son cryptage matériel AES 256 bits et TCG Opal Encryption 2.0 assurent une protection sécurisée des données, ce qui en fait un choix fiable pour les informations sensibles. Que ce soit pour un usage professionnel ou personnel, ce SSD offre performance, fiabilité et sécurité.

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Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Algorithme de chiffrement

Dissipateur thermique intégré

Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.

Prise en charge TRIM, Support de mise en veille de l'appareil, technologie Garbage Collection, Samsung V-NAND TLC Technology, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.

Débit de transfert interne

7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)

Écriture aléatoire 4 Ko maximum

Lecture aléatoire maximale 4 ko

PCI Express 4.0 x4 (NVMe)

Consommation électrique

6.5 Watt (moyenne)
55 mW (inactif)

Samsung Magician Software

Normes de conformité

Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans/2400 TBW

Température minimale de fonctionnement

Température maximale de fonctionnement

Résistance aux chocs (au repos)

Date de référencement 14/07/2023 à 06:45 Date de modification 31/03/2025 à 07:14 s Référence Samsung : MZ-V9P4T0GW EAN : 8806095255811

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Général
Type de périphérique		Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité		4 To
Cryptage matériel		Oui
Algorithme de chiffrement		AES 256 bits
Dissipateur thermique intégré		Oui
Format		M.2 2280
Interface		PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Caractéristiques		Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Support de mise en veille de l'appareil, Samsung V-NAND TLC Technology, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.
Caractéristiques		Prise en charge TRIM, Support de mise en veille de l'appareil, technologie Garbage Collection, Samsung V-NAND TLC Technology, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, S.M.A.R.T.
Largeur		25 mm
Profondeur		80.15 mm
Hauteur		8.88 mm
		28 g

Performances
Débit de transfert interne		7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum		1550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko		1600000 IOPS

Fiabilité
Fiabilité MTBF		1,500,000 heures

Expansion et connectivité
Interfaces		PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Baie compatible		M.2 2280

Alimentation
Consommation électrique		6.5 Watt (moyenne) 55 mW (inactif)

Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus		Samsung Magician Software

Divers
Normes de conformité		IEEE 1667

Garantie du fabricant
Service et maintenance		Garantie limitée - 5 ans/2400 TBW

Caractéristiques denvironnement
Température minimale de fonctionnement		0 °C
Température maximale de fonctionnement		70 °C
Résistance aux chocs (au repos)		1500 g

Quantité ajoutée :

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