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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0

SSD - chiffré - 4 To - interne : M.2 2280, PCIe 5.0 x2 (NVMe), AES 256 bits, TCG Opal Encryption 2.0

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Photo non contractuelle

Référence Samsung : MZ-V9S4T0BW
Référence PC21 : SNG180635

-29%	288,71 €	HT	(408,89)
	346,45 €	TTC	(490,66)
Taxes incluses (Eco-Part, RPCP, Copy) : 0,08 € HT

EN STOCK 113 pièces EXPEDIE EN 24/48 H
	Poids brut : 0.18 Kg (avec emballage)	Mise à jour le 15/01/2025 à 19:21

PC21 Services propose des services d’installation, d’assistance, de dépannage et de maintenance informatique aux entreprises et aux particuliers.
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FICHE TECHNIQUE SAMSUNG 990 EVO PLUS MZ-V9S2T0

Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité.Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.

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Type de périphérique

Lecteur à semi-conducteurs - interne

Algorithme de chiffrement

Type de mémoire flash NAND

3 bits par cellule (TLC)

Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667

Débit de transfert interne

7250 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)

Écriture aléatoire 4 Ko maximum

Lecture aléatoire maximale 4 ko

Consommation électrique

5.5 Watt (lecture)
4.8 Watt (écriture)
60 mW (en attente)
5 mW (veille)

Samsung Magician Software

Composition du châssis

Profondeur emballée

Service et maintenance

Garantie limitée - 5 ans/2400 TBW

Température minimale de fonctionnement

Température maximale de fonctionnement

Température de stockage mini

Température de stockage maxi

Taux d'humidité en fonctionnement

5 - 95 % (sans condensation)

Résistance aux chocs (au repos)

Tolérance aux vibrations (au repos)

Date de référencement 28/09/2024 à 06:55 Date de modification 14/01/2025 à 23:20 s Référence Samsung : MZ-V9S4T0BW EAN : 8806095575667

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Général
Type de périphérique		Lecteur à semi-conducteurs - interne
Capacité		4 To
Cryptage matériel		Oui
Algorithme de chiffrement		AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND		3 bits par cellule (TLC)
Format		M.2 2280
Interface		PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caractéristiques		Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Largeur		22.15 mm
Profondeur		80.15 mm
Hauteur		2.38 mm
Poids		9 g

Performances
Débit de transfert interne		7250 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
Écriture aléatoire 4 Ko maximum		1400000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko		1050000 IOPS

Fiabilité
Fiabilité MTBF		1.500.000 heures

Expansion et connectivité
Baie compatible		M.2 2280

Alimentation
Consommation électrique		5.5 Watt (lecture) 4.8 Watt (écriture) 60 mW (en attente) 5 mW (veille)

Logiciels & Configuration requise
Logiciel(s) inclus		Samsung Magician Software

Divers
Composition du châssis		Revêtement nickel

Dimensions et poids (emballé)
Largeur emballée		9.9 cm
Profondeur emballée		2.29 cm
Hauteur emballée		14.2 cm

Garantie du fabricant
Service et maintenance		Garantie limitée - 5 ans/2400 TBW

Caractéristiques denvironnement
Température minimale de fonctionnement		0 °C
Température maximale de fonctionnement		70 °C
Température de stockage mini		-40 °C
Température de stockage maxi		85 °C
Taux d'humidité en fonctionnement		5 - 95 % (sans condensation)
Résistance aux chocs (au repos)		1500 g @ 0,5 ms
Tolérance aux vibrations (au repos)		20 g @ 20-2000 Hz

Quantité ajoutée :

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Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 SSD - chiffré - 4 To - interne : M.2 2280, PCIe 5.0 x2 (NVMe), AES 256 bits, TCG Opal Encryption 2.0

FICHE TECHNIQUE SAMSUNG 990 EVO PLUS MZ-V9S2T0

Général

Performances

Fiabilité

Expansion et connectivité

Alimentation

Logiciels & Configuration requise

Divers

Dimensions et poids (emballé)

Garantie du fabricant

Caractéristiques denvironnement

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Caractéristiques denvironnement