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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 960 Go
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | 256-bit AES-XTS
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Type de mémoire flash NAND | | Cellule multiniveaux (MLC)
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Format | | M.2 22110
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Interface | | PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Octets par secteur | | 512
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Caractéristiques | | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 110 mm
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Hauteur | | 3.8 mm
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Poids | | 20 g
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Performances | |
Débit de transfert interne | | 5500 Mo/s (lecture) / 1400 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 550000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 60000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | | M.2 22110
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 7.5 Watt (lecture)
6.5 Watt (écriture)
2.5 Watt (inactif)
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Divers | |
Normes de conformité | | TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, Sans halogène, RCM
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95 % (sans condensation)
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 g @ 10-2000 Hz
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