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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 960 Go
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Cryptage matériel | | Oui
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Algorithme de chiffrement | | AES 256 bits
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | 2.5"
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Interface | | PCIe 3.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | Native Command Queuing (NCQ), prise en charge TRIM, algorithmes dynamiques et statiques de mise à niveau de l'usure, protection des données de bout en bout, Enterprise Power-Loss Protection
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Largeur | | 69.85 mm
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Profondeur | | 100.2 mm
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Hauteur | | 6.8 mm
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Poids | | 70 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 1.3
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Endurance SSD | | 1366 TB
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Débit de transfert interne | | 3000 Mo/s (lecture) / 1050 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 400000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 40000 IOPS
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Temps de latence moyen | | 15 µs
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - U.2 (SFF-8639)
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Baie compatible | | 2.5"
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 8.6 Watt (lecture) 8.1 Watt (écriture) 4 Watt (inactif)
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Divers | |
Normes de conformité | | RoHS
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -40 °C
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Température de stockage maxi | | 85 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 95 % (sans condensation)
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1500 g @ onde semi-sinusoïdale 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 20 g @ 10-2000 Hz
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