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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | | 512 Go
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Type de mémoire flash NAND | | 3D triple-level cell (TLC)
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Format | | M.2 2280
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Interface | | PCIe 3.0 (NVMe)
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Caractéristiques | | Prise en charge TRIM, S.M.A.R.T., NVMe 1.3
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Largeur | | 8 cm
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Largeur | | 22 mm
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Profondeur | | 2.2 cm
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Profondeur | | 80 mm
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Hauteur | | 2.2 cm
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Hauteur | | 2.2 mm
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Poids | | 7 g
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Performances | |
Classe d'entraînement | | Read Intensive
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Temps de latence moyen | | 0.2 ms
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 1,000,000 heures
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 3.0 (NVMe) - M.2 Card
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Baie compatible | | M.2 2280
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 2.84 Watt (lecture)
3.22 Watt (écriture)
0.47 Watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 3 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Température de stockage mini | | -45 °C
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Température de stockage maxi | | 105 °C
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Taux d'humidité en fonctionnement | | 5 - 98%
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1500 g
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 16 g
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