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Général |
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Type de périphérique | | Lecteur à semi-conducteurs - interne
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Capacité | |
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Type de mémoire flash NAND | | Cellule 3D à quatre niveaux (QLC)
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Format | | E3.S
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Interface | | PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Caractéristiques | | 3D NAND Technology, cellule à quatre niveaux (QLC), NVM Express (NVMe) 1.4c
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| | 90 g
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Performances | |
Écritures de lecteur par jour (DWPD) | | 0.57
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Endurance SSD | | 8 PB
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Classe d'entraînement | | Read Intensive, Mainstream Performance
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Débit de transfert interne | | 6800 Mo/s (lecture) / 1730 Mo/s (écriture)
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Lecture aléatoire 4 Ko | | 717000 IOPS
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Écriture aléatoire 4 Ko | | 100000 IOPS
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Fiabilité | |
Fiabilité MTBF | | 2,000,000 heures
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Erreurs irrécupérables | | 1 sur 10^17
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Expansion et connectivité | |
Interfaces | | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
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Baie compatible | |
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Alimentation | |
Consommation électrique | | 18 Watt (actif) 5 Watt (inactif)
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Garantie du fabricant | |
Service et maintenance | | Garantie limitée - 5 ans
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Caractéristiques denvironnement | |
Température minimale de fonctionnement | | 0 °C
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Température maximale de fonctionnement | | 70 °C
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Résistance aux chocs (en fonctionnement) | | 1000 g @ 0,5 ms
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Résistance aux chocs (au repos) | | 1000 g @ 0,5 ms
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Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | | 2.17 gRMS @ 5-700 Hz
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Tolérance aux vibrations (au repos) | | 3.13 gRMS @ 5-800 Hz
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